結論 - 只要有人想炒第三代半導體，一定會炒到太極4934。這可能變成考古題。
1. 第三代半導體目前最主要的需求來自功率半導體器件的應用需求，因為它耐高壓、耐高溫、低損耗等特性。
2. 其中，碳化矽因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，被視為未來最普遍的基礎材料(跟主要用在通訊的砷化鎵有點不同)。與矽相比，以碳化矽晶片製造的半導體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用於半導體功率器件和5G通訊等領域。
3. 根據產業研究機構 IHS Markit預測，2019 年碳化矽功率器件市場規模約6.1億美元，受新能源汽車、5G技術應用的推廣等領域快速崛起需求驅動，2025年碳化矽功率器件的市場規模將達到30億美元，年均複合增速達到30.4%。
4. 碳化矽產業鏈分為上中下游三個環節：上游包括基板和磊晶晶圓的製備；中游環節包括晶片、器件或模組的設計、製造和封測；下游環節則是終端應用，其中基板的難度是最高的，價值量占到產業鏈的47%左右。
5. 太極持股55%的子公司 - 盛新材料，就是做碳化矽基板的。
6. 碳化矽基板尺寸主要有2吋（50mm）、3吋（75mm）、4吋（100mm）、6吋（150mm）、8吋（200mm）等規格，與矽晶圓類似，大尺寸的晶圓也是碳化矽基板的發展方向。國內外主要企業集中生產4吋、6吋碳化矽基板。從4吋到6吋，晶體的生長是最難破解的關鍵技術。
7. 基板尺寸越大，單位基板可製造的晶片數量越多，邊緣浪費越小，單位晶片成本越低。換言之能夠製造越大尺寸基板的廠商越強。
8. 碳化矽基板依電阻率不同分為導電型和半絕緣型兩類，全球範圍內看，半絕緣基板和磊晶晶圓由4吋向6吋線轉移，4吋線3~5年逐漸淘汰；導電型基板以6吋為主，GREE已有8吋樣品出貨，未來5年將達到量產標準。中國本土主要半絕緣基板集中在2-4吋，導電型基板從4吋向6吋在逐步過渡，6吋基板開始規模化生產或者開始建設產線，2-3年內會有大量產線實現量產，8吋導電型基板少數企業研發成功。
https://udn.com/news/story/6871/5783154
https://news.cnyes.com/news/id/4787420
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